Super C-FET
Deze MosFet schakeling op een klein printje zorgt voor een brandschone hoogspanningsvoeding. De condensator aan de gate van 10 uF/450V wordt langzaam geladen door de drain weerstand van 1M. Hierdoor ontstaat een langzame opstart van de hoogspanning B+. Er staat ongeveer 11 Volt over de Drain en Source van de FET. Afhankelijk van de stroom die erdoor loopt, moet de FET gekoeld worden. Tot 1 Watt hoeft hij niet gekoeld te worden. Hoger dan 1 Watt, dan de FET niet op de printplaat monteren maar extern op een koellichaam. Zorg er dan ook voor dat weerstand R1 1K mee verplaatst wordt. Om oscillatie te voorkomen moet de weerstand R1 zo dicht mogelijk op de Gate gesoldeerd worden. De uitgangsimpedantie van de FET-schakeling bedraagt ongeveer 2,5 Ohm bij frequenties boven 20 Hz. Er zijn daarom zijn geen verdere Elco's nodig na deze schakeling. De rimpelspanning aan de B+-uitgang is +/- 0,6 mVrms.
This Mos-Fet circuit on a small PCB ensures a spotless high-voltage power supply. The 10 uF/450V capacitor at the gate is slowly charged by the 1M drain resistor. This results in a slow start-up of the high voltage B+. There is about 11 Volts over the Drain and Source of the FET. Depending on the current flowing through it, the FET needs to be cooled. It does not need to be cooled up to 1 watt. Higher than 1 Watt, then do not mount the FET on the circuit board but externally on a heat sink. Make sure that resistor R1 1K is moved with it. To prevent oscillation, the resistor R1 should be soldered as close as possible to the gate. The output impedance of the FET circuit is 2.5 Ohms at frequencies above 20 Hz. Therefore, no further capacitors are needed after this circuit. The ripple voltage at the B+ output is less than 0,6 mVrms.